トランジスタについて (まとめ・更新)

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今日はトランジスタについてです。これって(基本的には電流を増幅する半導体なんでが、まあ抵抗を噛ませてやれば電圧が取り出せるので)、オペアンプと同じように電圧を増幅する半導体と考えてあげていいです。ですので、オペアンプと同様に歪みを作る回路部では最も重要なパーツです。

同じ歪み系でもOD-1やDS-1のようにオペアンプを用いる歪み系があるかと思えば、OD-2やBD-2のようにこのトランジスタの電流の増幅率のみで(ディスクリートのみで作る)歪み系があるんです。

しかーし、オペアンプと同様に色んな型格がありすぎて何が何かよく分かりませんよね、正直って思ってる人いませんか?

ということで今日は簡単にトランジスタの種類を説明します。ある意味自分の中でも徐々に整理してみたいと思います。ご存知のようにアナログ回路では非常に多くの種類のトランジスタが使われますが、実際には下記の①(バイポーラ)トランジスタと、②(電界効果型)トランジスタ/FETの6つの種類しかありませんです、はい。エフェクターでは低周波数向けは単にエフェクターのON/OFFの際に使うトランジスタ、高周波数向けはエフェクターの信号線の入出力バッファー、ゲイン回路の増幅用トランジスタに使うと思っておけばよいです。

 ①(バイポーラ)トランジスタ
PNP型(出力信号は反転)
NPN型
低周波,
(大電力)
2SBxxx2SDxxx
高周波,
(小信号)
2SAxxx
(例)2SA970-GR,2SA1015-BL
2SCxxx
(例)2SC1815
応用例    pnp_circuit1.jpg npn_circuit1.jpg

PNPタイプと、電流の流れる向きが逆のNPNタイプと、周波数帯域での4種類しかないんです、実は。-側をグランドに、+側を電源とする回路の場合は逆に流れるNPNP型が使いやすいです。

これに、増幅率(hFE)のランクとして高い方からBL、GR、Y、Oの4種類でこの時点で(バイポーラ)トランジスタだけで合計16種類もあることになりますね。

hFE(増幅率)
BL(Blue): hFE = 350~700
GR(Green): hFE = 200~400
Y(Yellow): hFE = 120~240
O(Orange): hFE = 70~140


あら、意外と簡単でしたね、じゃあ終わりって訳にはいかないのでもう少しいうと、ただ複雑になるのは、これにアメリカの規格2Nxxxx(xxxxは登録順番なのでここでJIS規格のように分類はできない)やら、はたまたゲルマニウムか、シリコンか、あるいは代替品も含め同等品で(最大定格等の性能の違いを除いても)多くなってくるだけで本質的にはこの4種類に増幅率のランク4種類を覚えていればいいんですよ。

ただーし、バイポーラで使うゲルマニウムの他に、シリコンがあるといいましたが、そのシリコンを用いて現在はトランジスタ以外にも下記のような電界効果型トランジスタ(FET)という(ちょっと難しくいうと接合ジャンクションを利用したバイポーラを用いないCMOSプロセスの)最新の電子パーツがありますのでさらにもっと複雑にはなりますが、その2種類の6種類を覚えておけばいいです。

 ②(電界効果型)トランジスタ/FET
Pチャネル型(出力信号は反転)
Nチャネル型
低周波    2SJxxx2SKxxx
(例)2SK30A, 2SK117-GR
高周波    なしなし


 互換表
オリジナルの型格 代替品
用途
2SK30A(Y) MPF102/2N5458 BOSSエフェクターON/OFF用SW
2N5133(CBE) 2N5088(EBC) ラムズヘッド化MOD
2SK44 2SK30A 1981年TS-808化MOD
2N5088/2N5089/2N3904
(ピン配列EBC)
2SC1815/2SC1015/2SC945
(ピン配列ECB)
2N5087/2N3906 2SA1015




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